Новая технология памяти для искусственного интеллекта, называемая SOT-MRAM, была разработана для преодоления ограничений традиционной памяти, используемой в системах ИИ.
Эта магнитная память обладает способностью сохранять информацию даже при отсутствии электропитания, что представляет собой значительное преимущество перед другими технологиями памяти.
Технология SOT-MRAM использует магнитные свойства в сочетании с другими специфическими условиями, которые позволяют достичь превосходной производительности. Согласно статье, эта память быстрее и одновременно эффективнее существующих альтернатив.
Кроме того, технология потребляет меньше энергии по сравнению с другими доступными в настоящее время технологиями памяти, что может способствовать повышению устойчивости и экономичности систем искусственного интеллекта.
